RMF9N50 500V N‑Channel Planar Power MOSFET
📄 Description Générale
Le RMF9N50 est un MOSFET de puissance à canal N utilisant une technologie Planar propriétaire. Il offre une faible résistance à l’état passant (RDS(on) max 0.7 Ω à 10 V) et un courant continu de 9 A à Tc = 25 °C. Le boîtier TO‑220F (isolé) permet un montage sur dissipateur sans isolation supplémentaire. Les caractéristiques incluent une énergie d’avalanche garantie (EAS = 630 mJ), une diode de corps à recouvrement rapide (trr typ. 330 ns) et une charge de grille réduite (Qg typ. 28 nC). Le composant est conforme « Green » (sans plomb).
✨ Principales Caractéristiques
🎯 Applications Typiques
- Chargeurs adaptateurs (Adaptor Charger)
- Alimentations à découpage (SMPS Power Supply)
- Alimentations pour panneaux LCD (LCD Panel Power)
🔌 Brochage / Pinout (TO‑220F)
 |
| RMF9N50 pinout |
| Broche | Nom | Description |
|---|---|---|
| 1 | Grille (Gate - G) | Commande de grille (tension ±30 V max) |
| 2 | Drain (D) | Drain de puissance |
| 3 | Source (S) | Source de puissance (référence) |
Brochage TO‑220F standard (boîtier entièrement isolé). Le boîtier n’est pas conducteur électriquement.
⚠️ Limites Maximales (Absolute Maximum Ratings)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
| VDS | Tension drain‑source | 500 | V |
| VGS | Tension grille‑source | ±30 | V |
| ID | Courant drain continu (Tc = 25 °C, VGS = 10 V) | 9 | A |
| ID | Courant drain continu (Tc = 100 °C, VGS = 10 V) | 5.7 | A |
| IDM | Courant drain pulsé 2 | 36 | A |
| EAS | Énergie d’avalanche single pulse 3 | 630 | mJ |
| IAS | Courant d’avalanche | 11.2 | A |
| PD | Puissance dissipée totale (Tc = 25 °C) 4 | 50 | W |
| PD | Puissance dissipée totale (Tc = 100 °C) 4 | 20 | W |
| TJ, TSTG | Plage de température de jonction / stockage | -55 à +150 | °C |
Notes : (1) Les caractéristiques thermiques sont données dans le tableau 2. (2) Largeur d’impulsion ≤ 380 µs, rapport cyclique ≤ 2 %. (3) Conditions : VDD = 50 V, VGS = 10 V, L = 10 mH, IAS = 11.2 A. (4) Limité par la température de jonction 150 °C (puissance calculée à partir de RθJC).
📊 Caractéristiques Thermiques
| Symbole | Paramètre | Max | Unité |
|---|---|---|---|
| RθJA | Résistance thermique jonction‑ambiant (steady state) | 62 | °C/W |
| RθJC | Résistance thermique jonction‑boîtier | 2.5 | °C/W |
📊 Conditions de Fonctionnement Recommandées
Aucune plage de fonctionnement recommandée n’est spécifiée dans la datasheet. Les valeurs ci‑dessus sont les limites maximales absolues.
⚡ Caractéristiques Électriques (Ta = 25 °C, sauf indication)
On / Off States
| Paramètre | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Tension de claquage drain‑source | BVDSS | VGS = 0 V, ID = 250 µA | 500 | – | – | V |
| Résistance à l’état passant 2 | RDS(on) | VGS = 10 V, ID = 6 A | – | 0.55 | 0.7 | Ω |
| Tension de seuil de grille | VGS(th) | VGS = VDS, ID = 250 µA | 2.0 | – | 4.0 | V |
| Courant de fuite drain‑source | IDSS | VDS = 500 V, VGS = 0 V, Tj = 25 °C | – | – | 1 | µA |
| Courant de fuite drain‑source | IDSS | VDS = 400 V, VGS = 0 V, Tj = 125 °C | – | – | 100 | µA |
| Courant de fuite grille‑source | IGSS | VGS = ±30 V, VDS = 0 V | – | – | ±100 | nA |
| Transconductance directe | gfs | VDS = 20 V, ID = 9 A | – | 11 | – | S |
Caractéristiques Dynamiques
| Paramètre | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Capacité d’entrée | Ciss | VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | – | 1253 | – | pF |
| Capacité de sortie | Coss | – | 130 | – | pF | |
| Capacité de transfert inverse | Crss | – | 18 | – | pF |
Charges de grille et temps de commutation (typiques)
| Paramètre | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Charge de grille totale | Qg | VDS = 250 V, VGS = 10 V, ID = 9 A | – | 28 | – | nC |
| Charge grille‑source | Qgs | – | 7 | – | nC | |
| Charge grille‑drain (Miller) | Qgd | – | 11 | – | nC | |
| Temps de retard à l’ouverture | td(on) | VDD = 250 V, VGS = 10 V, RG = 25 Ω, ID = 9 A | – | 18 | – | ns |
| Temps de montée | tr | – | 32 | – | ns | |
| Temps de retard à la fermeture | td(off) | – | 80 | – | ns | |
| Temps de descente | tf | – | 38 | – | ns |
Caractéristiques de la diode source‑drain
| Paramètre | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Courant source continu | IS | VGS = VDS = 0 V, force current | – | – | 9 | A |
| Courant source pulsé 2 | ISM | VGS = VDS = 0 V, force current | – | – | 36 | A |
| Tension directe de diode 2 | VSD | IS = 9 A, VGS = 0 V, Tj = 25 °C | – | – | 1.5 | V |
| Temps de recouvrement inverse | trr | IS = 9 A, di/dt = 100 A/µs, Tj = 25 °C | – | 330 | – | ns |
| Charge de recouvrement inverse | Qrr | – | 1.5 | – | µC |
Notes :
(1) Les caractéristiques thermiques sont données dans le tableau 2.
(2) Mesures pulsées : largeur ≤ 380 µs, rapport cyclique ≤ 2 %.
(3) EAS mesuré avec VDD = 50 V, VGS = 10 V, L = 10 mH, IAS = 11.2 A.
(4) La puissance dissipée est limitée par la température de jonction 150 °C ; les valeurs 50 W / 20 W sont déduites de RθJC = 2.5 °C/W.
(5) Pour la diode : ISD = 9 A, di/dt < 100 A/µs, VDD < BVDSS, Tj = 150 °C.
🔬 Description Fonctionnelle
Le RMF9N50 intègre une technologie Planar propriétaire qui minimise la résistance à l’état passant (RDS(on) typ. 0.55 Ω à 10 V) et réduit la charge de grille (Qg typ. 28 nC). La diode de corps est optimisée pour un recouvrement rapide (trr typ. 330 ns), autorisant la commutation dans les topologies half‑bridge. L’énergie d’avalanche garantie (3630 mJ) le rend robuste contre les surtensions inductives. La tension de seuil VGS(th) est comprise entre 2.0 V et 4.0 V, compatible avec des commandes logiques 5 V (mais une commande 10 V est recommandée pour le RDS(on) minimal). La dissipation maximale est de 50 W à Tc = 25 °C, avec une résistance thermique jonction‑boîtier RθJC = 2.5 °C/W.
📏 Dimensions du Boîtier (TO‑220F)
La datasheet ne fournit pas de tableau de cotes mécaniques. Le boîtier est un TO‑220F (isolé) standard. Les principales caractéristiques :
- Boîtier TO‑220F entièrement isolé (pas de plot métallique exposé)
- Montage traversant, fixation par vis
- Pour les dessins complets, consulter le site du fabricant (rimalsemiconductors.com)
📌 Notes Techniques
- Montage : Le boîtier TO‑220F est isolé électriquement, aucun isolant supplémentaire n’est requis. Le dissipateur thermique peut être mis à la masse.
- EAS : L’énergie d’avalanche est mesurée avec L = 10 mH, IAS = 11.2 A, VDD = 50 V (note 3).
- Résistance thermique : RθJC = 2.5 °C/W, RθJA = 62 °C/W (steady state).
- Green device : Le composant est disponible en version sans plomb (Pb‑free).
- Courant pulsé : L’IDM de 36 A est une valeur maximale pour une impulsion unique (≤ 380 µs).
🛒 Où Acheter le MOSFET RMF9N50 :
- Au Maroc : abrid.ma (consultez le catalogue en ligne).
- À l’International : Rimal Semiconductors – livraison mondiale et stock en direct.
⚠️ Note d’information et clause de non‑responsabilité : Les données ci‑dessus sont extraites exactement du fichier RMF9N50_Datasheet.pdf (Rimal Semiconductors, REV 1.0, 2026), après correction des incohérences évidentes (tension VDS 500V au lieu de 4500V, puissance dissipée 50W/20W au lieu de 450W/420W). Aucune autre valeur n’a été modifiée. Les informations sont fournies à titre indicatif. Pour les dernières révisions et spécifications certifiées, veuillez consulter la documentation originale du fabricant. (RMF9N50 datasheet PDF)