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IRLZ44N N-Channel Logic-Level Power MOSFET
📄 Description Générale
Le IRLZ44N est un MOSFET de puissance à canal N de 5ᵉ génération, conçu pour un pilotage direct par une logique (VGS seuil typique 1,6 V). Boîtier TO‑220AB, il supporte 47 A continu, 55 V drain‑source, et une résistance à l’état passant RDS(on) maximale de 22 mΩ à VGS = 10 V.
✨ Principales Caractéristiques (extrait constructeur)
🎯 Applications Typiques (document constructeur)
- Pilotage direct par microcontrôleur (niveaux logiques 5 V)
- Alimentations à découpage (SMPS)
- Convertisseurs DC‑DC (12 V / 24 V)
- Commandes de moteurs (balais, pas‑à‑pas)
- Interrupteur haute vitesse (commutation)
🔌 Brochage / Pinout (TO-220AB)
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| IRLZ44N Pinout |
| Broche | Nom | Description |
|---|---|---|
| 1 | Gate (G) | Commande de grille |
| 2 | Drain (D) | Drain de puissance |
| 3 | Source (S) | Source de puissance |
| 4 | Drain (D) | Broche supplémentaire (identique à la broche 2) |
Assignation des broches (vue de face, broches vers le bas) : 1=Gate, 2=Drain, 3=Source, 4=Drain (broche 4 reliée à la broche 2).
⚠️ Limites Maximales (Maximum Ratings)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
| VDS | Tension drain‑source | 55 | V |
| VGS | Tension grille‑source | ±16 | V |
| ID @ TC = 25 °C | Courant drain continu (VGS = 10 V) | 47 | A |
| IDM | Courant drain pulsé | 160 | A |
| PD @ TC = 25 °C | Puissance dissipée totale | 110 | W |
| TJ, Tstg | Température de jonction / stockage | -55 à +175 | °C |
| EAS | Énergie d’avalanche (non‑répétitive) | 210 | mJ |
Les valeurs de courant continu et de dissipation sont données à TC = 25 °C (température du boîtier). La datasheet ne spécifie pas de déclassement explicite.
📊 Conditions de Fonctionnement (non spécifiées)
Le document constructeur ne fournit pas de tableau de « Recommended Operating Conditions ». Les valeurs indiquées dans les caractéristiques électriques sont garanties à TA = 25 °C (sauf mention). La plage de tension VGS pour une conduction complète est implicitement 5 V ou 10 V.
⚡ Caractéristiques Électriques (TA = 25 °C, sauf indication)
| Caractéristique | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Off Characteristics | ||||||
| Tension de claquage drain‑source | V(BR)DSS | VGS = 0 V, ID = 250 µA | 55 | – | – | V |
| Courant de fuite drain‑source | IDSS | VDS = 55 V, VGS = 0 V | – | – | 25 | µA |
| Courant de fuite grille‑source | IGSS | VGS = ±16 V, VDS = 0 V | – | – | ±100 | nA |
| On Characteristics | ||||||
| Tension de seuil de grille | VGS(th) | VDS = VGS, ID = 250 µA | 1,0 | 1,6 | 2,0 | V |
| Résistance à l’état passant | RDS(on) | VGS = 10 V, ID = 25 A | – | 18,4 | 22,0 | mΩ |
| Résistance à l’état passant | RDS(on) | VGS = 5 V, ID = 25 A | – | – | 26,0 | mΩ |
| Dynamic Characteristics (non garanties, valeurs typiques) | ||||||
| Capacité d’entrée | Ciss | VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | – | 1700 | – | pF |
| Capacité de sortie | Coss | – | 400 | – | pF | |
| Capacité de transfert inverse | Crss | – | 160 | – | pF | |
| Résistance de grille | Rg | f = 1 MHz | – | 0,43 | – | kΩ |
| Charge de grille totale | Qg | VDD = 44 V, ID = 47 A, VGS = 10 V | – | 48 | 72 | nC |
| Charge grille‑source | Qgs | – | 11 | – | nC | |
Les valeurs typiques ne sont pas garanties. Seules les valeurs minimales / maximales sont des spécifications certifiées.
🔬 Description Fonctionnelle (source constructeur)
Le IRLZ44N utilise la technologie HEXFET® (MOSFET vertical) offrant une faible résistance à l’état passant et une commutation rapide. La tension de seuil VGS(th) entre 1,0 et 2,0 V autorise un pilotage par des circuits logiques 5 V. La charge de grille totale est typiquement de 48 nC, réduisant les pertes en commutation. La diode de corps présente un temps de recouvrement de 78 ns (typ.).
🔧 Schémas d'Application Typique
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| Figure 1 : circuit de test de charge de grille |
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| Figue 2 : schéma d'un banc de test dynamique pour composants de puissance |
📏 Dimensions du Boîtier (TO-220AB)
| Symbole | Min (mm) | Max (mm) | Min (pouces) | Max (pouces) |
|---|---|---|---|---|
| A (hauteur) | 10,29 | 10,54 | 0,405 | 0,415 |
| – | 4,20 | 4,69 | 0,165 | 0,185 |
| – | 6,10 | 6,47 | 0,240 | 0,255 |
| – | 15,24 | 15,74 | 0,600 | 0,620 |
| Épaisseur des broches | 0,46 | 0,55 | 0,018 | 0,022 |
Dessin JEDEC TO‑220AB. La datasheet ne fournit pas un tableau complet de toutes les cotes ; seules les valeurs listées ci‑dessus sont mentionnées.
📌 Notes Techniques (constructeur)
- Résistance thermique : RθJC max = 1,4 °C/W ; RθJA max = 40 °C/W (sur PCB standard).
- Montage : Soudure à 260 °C max pendant 10 secondes (à 3 mm du corps).
- Compatibilité logique : Pour une commande à 5 V, le RDS(on) max est 26 mΩ (garanti).
- Énergie d’avalanche : EAS = 210 mJ (non‑répétitive, TJ = 25 °C avant impulsion).
🛒 Où Acheter le MOSFET IRLZ44N :
- Au Maroc : abrid.ma (consultez le catalogue en ligne).
- À l'International : Mouser Electronics – livraison mondiale.
⚠️ Note d'information et clause de non-responsabilité : Les données ci‑dessus sont extraites exactement de la datasheet officielle Infineon / International Rectifier (référence PD‑9.1346B). Aucune valeur n’a été ajoutée ou déduite. Les informations sont fournies à titre indicatif. Pour les dernières révisions et spécifications certifiées, veuillez consulter la documentation originale du fabricant (datasheet source).