P2N2222A NPN Epitaxial Silicon Transistor
📄 Description Générale
Le P2N2222A est un transistor bipolaire NPN au silicium épitaxial, conçu pour les applications de commutation rapide et d'amplification de signaux. Ce composant, présenté dans un boîtier TO-92 économique, offre une excellente linéarité et une dissipation thermique adaptée aux circuits basse et moyenne puissance. Il constitue un remplacement direct et amélioré du 2N2222A historique, avec une plage de courant de collecteur étendue et une tension de claquage collecteur-émetteur (VCEO) garantie à 40 V. Sa faible saturation et sa capacité de courant de 600 mA en font un choix privilégié pour les étages de sortie, les pilotes de relais et les oscillateurs HF.
✨ Principales Caractéristiques
🎯 Applications Typiques
- Commutateur universel (relais, LED, petits moteurs)
- Amplificateur de petits signaux (audio, HF)
- Étage driver pour microcontrôleurs et logique TTL/CMOS
- Oscillateurs et circuits de temporisation
- Remplacement direct du 2N2222A dans la plupart des applications
🔌 Brochage / Pinout (TO-92)
⚠️ Limites Maximales (Maximum Ratings)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
| VCEO | Tension collecteur-émetteur (IB = 0) | 40 | V |
| VCBO | Tension collecteur-base (IE = 0) | 75 | V |
| VEBO | Tension émetteur-base (IC = 0) | 6,0 | V |
| IC | Courant de collecteur continu | 600 | mA |
| PD | Dissipation totale @ TA = 25°C | 625 | mW |
| PD | Dissipation totale @ TC = 25°C | 1,5 | W |
| TJ, Tstg | Plage de température de jonction et de stockage | -55 à +150 | °C |
Note : Les valeurs de PD doivent être déclassées linéairement au-dessus de 25°C (5,0 mW/°C pour TA, 12 mW/°C pour TC).
📊 Conditions de Fonctionnement Recommandées
| Paramètre | Symbole | Min | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|
| Tension collecteur-émetteur | VCE | - | 40 | V |
| Courant de collecteur | IC | - | 600 | mA |
| Température de jonction | TJ | -55 | +150 | °C |
⚡ Caractéristiques Électriques (TA = 25°C, sauf indication)
| Caractéristique | Symbole | Conditions | Min | Typ | Max | Unité |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Caractéristiques de blocage (Off Characteristics) | ||||||
| Tension de claquage CE | V(BR)CEO | IC = 10 mA, IB = 0 | 40 | - | - | V |
| Courant de fuite CE | ICEX | VCE = 60 V, VEB(off)=3V | - | - | 10 | nA |
| Caractéristiques de saturation (On Characteristics) | ||||||
| Gain en courant DC | hFE | IC = 0,1 mA, VCE = 10 V | 35 | - | - | - |
| Gain en courant DC | hFE | IC = 1,0 mA, VCE = 10 V | 50 | - | - | - |
| Gain en courant DC | hFE | IC = 10 mA, VCE = 10 V | 75 | - | - | - |
| Gain en courant DC | hFE | IC = 150 mA, VCE = 10 V | 100 | - | 300 | - |
| Gain en courant DC | hFE | IC = 500 mA, VCE = 10 V | 40 | - | - | - |
| Tension de saturation CE | VCE(sat) | IC = 150 mA, IB = 15 mA | - | - | 0,3 | V |
| Tension de saturation CE | VCE(sat) | IC = 500 mA, IB = 50 mA | - | - | 1,0 | V |
| Caractéristiques petits signaux | ||||||
| Produit gain-bande passante | fT | IC = 20 mA, VCE = 20 V, f = 100 MHz | 300 | - | - | MHz |
| Capacité de sortie | Cobo | VCB = 10 V, IE = 0, f = 1,0 MHz | - | 8,0 | - | pF |
| Capacité d'entrée | Cibo | VEB = 0,5 V, IC = 0, f = 1,0 MHz | - | 25 | - | pF |
Note : Les valeurs typiques sont fournies à titre indicatif et peuvent varier selon les lots de production.
🔬 Description Fonctionnelle
Le P2N2222A utilise une structure NPN épitaxiale qui lui confère un gain en courant élevé (hFE) sur une large plage de courant, tout en maintenant des tensions de saturation très basses. En mode commutation, sa faible charge de base stockée permet des vitesses de passage à l'état passant et bloqué très rapides, avec des temps de propagation typiquement inférieurs à 10 ns. En mode linéaire, sa haute fréquence de transition (fT) de 300 MHz garantit une amplification sans distorsion jusqu'à la bande VHF. La résistance thermique jonction-ambiant (RθJA) de 200°C/W doit être respectée pour éviter toute dégradation thermique dans les applications continuelles.
🔧 Schéma d'Application Typique
+Vcc (5V à 40V)
|
R1 (1kΩ à 10kΩ)
|
+-----> Sortie (OUT)
|
|/
IN >--| P2N2222A
|>
|
GND
Exemple : interrupteur commandé par signal TTL/CMOS (R1 limite le courant).
📏 Dimensions du Boîtier (TO-92 / TO-226)
| Symbole | Min (mm) | Max (mm) | Min (pouces) | Max (pouces) |
|---|---|---|---|---|
| A | 4,45 | 5,20 | 0,175 | 0,205 |
| B | 4,32 | 5,33 | 0,170 | 0,210 |
| C | 3,18 | 4,19 | 0,125 | 0,165 |
| D | 0,40 | 0,54 | 0,016 | 0,021 |
| G | 2,40 | 2,80 | 0,095 | 0,110 |
| J | 0,39 | 0,50 | 0,015 | 0,020 |
| K | 12,70 | - | 0,500 | - |
Le boîtier TO-92 est compatible avec les montages sur circuit imprimé, aussi bien en configuration en ligne droite (bulk) qu'avec les pieds pliés pour ruban ou conditionnement en ammo pack.
📌 Notes Techniques
- Dissipation thermique : Pour une température ambiante supérieure à 25°C, la puissance maximale doit être réduite de 5,0 mW par °C.
- Montage : Les soudures doivent être effectuées à une distance minimale de 3 mm du corps du boîtier, avec une température de fer à souder ne dépassant pas 260°C pendant 10 secondes.
- Compatibilité : Le P2N2222A est électriquement équivalent au 2N2222A standard. Vérifiez toujours le brochage (broche 1 = émetteur).
🛒 Où Acheter [P2N2222A] :
- Au Maroc : abrid.ma (Consultez le catalogue en ligne pour la disponibilité et les quantités).
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