IRFZ44N Datasheet | Fiche technique MOSFET N-Channel

IRFZ44N N-Channel Power MOSFET

IRFZ44N N-Channel Power MOSFET

Transistor à effet de champ (MOSFET) de puissance pour applications de commutation haute vitesse

📄 Description Générale

Le IRFZ44N est un MOSFET de puissance à canal N, conçu pour la commutation rapide et les applications de régulation moyenne et haute puissance. Grâce à une technologie de grille avancée et une résistance à l'état passant extrêmement faible, ce composant en boîtier TO-220 offre des performances électriques remarquables. La très faible résistance à l'état passant (RDS(on) = 17.5 mΩ) associée à une tension de claquage drain-source (VDS = 55 V) et un courant de drain continu (ID = 49 A) en font un choix idéal pour les étages de commutation, les pilotes de charge et les convertisseurs DC-DC haute efficacité.

✨ Principales Caractéristiques

✔ Tension de claquage drain-source : VDS = 55 V
✔ Courant de drain continu : ID = 49 A (à TC = 25°C)
✔ Résistance à l'état passant ultra-faible : RDS(on) = 17.5 mΩ max (VGS = 10 V, ID = 25 A)
✔ Tension de seuil de grille : VGS(th) = 2.0 – 4.0 V
✔ Excellente stabilité thermique : TJ = -55 à +175°C
✔ Boîtier TO-220 (TO-220AB) pour montage traversant
✔ Charge de grille totale : Qg = 42 nC (typique)
✔ Version sans plomb (Pb-Free) et conforme RoHS

🎯 Applications Typiques

  • Commutateur haute puissance (alimentations à découpage, relais)
  • Pilote de moteurs DC et contrôleurs de vitesse
  • Convertisseurs DC-DC et onduleurs
  • Circuits de gestion de batterie
  • Amplification de puissance en classe D

🔌 Brochage / Pinout (TO-220)

Brochage / Pinout (TO-220) IRFZ44N

⚠️ Limites Maximales (Maximum Ratings)

SymboleParamètreValeurUnité
VDSTension drain-source (maximale)55V
VGSTension grille-source (maximale)±20V
IDCourant de drain continu (TC = 25°C)49A
IDMCourant de drain pulsé (peak)160A
PDPuissance dissipée totale maximale (TC = 25°C)83W
EASÉnergie de claquage en régime single pulse (avalanche)150mJ
TJ, TstgTempérature de jonction et de stockage-55 à +175°C
RθJCRésistance thermique jonction-boîtier1.8°C/W
RθJARésistance thermique jonction-ambiant (PCB monté)62°C/W

Note : Les valeurs de PD doivent être déclassées linéairement au-dessus de 25°C (0.54 W/°C).

📊 Conditions de Fonctionnement Recommandées

ParamètreSymboleMinMaxUnité
Tension drain-sourceVDS-55V
Tension grille-sourceVGS-2020V
Courant de drain continuID-49A
Température de jonctionTJ-55175°C

⚡ Caractéristiques Électriques (TA = 25°C, sauf indication)

CaractéristiqueSymboleConditionsMinTypMaxUnité
Caractéristiques de blocage (Off Characteristics)
Tension de claquage drain-sourceBVDSSVGS = 0 V, ID = 250 µA55--V
Courant de fuite drain-sourceIDSSVDS = 55 V, VGS = 0 V--10µA
Courant de fuite grille-sourceIGSSVGS = ±20 V, VDS = 0 V--±100nA
Caractéristiques de conduction (On Characteristics)
Tension de seuil de grilleVGS(th)VDS = VGS, ID = 250 µA2.03.04.0V
Résistance à l'état passantRDS(on)VGS = 10 V, ID = 25 A-14.817.5
Caractéristiques dynamiques et de commutation
Charge de grille totaleQgVGS = 10 V, VDS = 27 V, ID = 25 A-4263nC
Charge grille-sourceQgs-9.1-nC
Charge grille-drainQgd-13-nC
Capacité d'entréeCissVDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz-14702200pF
Capacité de sortieCoss-360540pF
Capacité de transfert inverseCrss-88130pF
Transconductance directegfsVDS = 25 V, ID = 25 A-6-S
Temps de retard à l'ouverturetd(on)VDD = 30 V, ID = 25 A, VGS = 10 V, RG = 10 Ω-1826ns
Temps de montéetr-5075ns
Temps de retard à la fermeturetd(off)-4050ns
Temps de descentetf-3040ns

Note : Les valeurs typiques sont fournies à titre indicatif et peuvent varier selon les lots de production.

🔬 Description Fonctionnelle

Le IRFZ44N utilise une structure MOSFET à canal N avec une grille en polysilicium et une couche d'oxyde de grille optimisée pour obtenir une très faible résistance à l'état passant (RDS(on) = 17.5 mΩ) tout en maintenant une capacité de courant élevée. En mode commutation, sa faible charge de grille totale (Qg = 42 nC) permet des vitesses de passage à l'état passant et bloqué très rapides, avec des temps de propagation typiquement inférieurs à 100 ns. En mode linéaire, sa large zone de fonctionnement sûr (SOA) garantit une fiabilité accrue dans les applications de commutation. La résistance thermique jonction-boîtier (RθJC) de 1.8°C/W doit être respectée pour éviter toute dégradation thermique dans les applications continuelles.

🔧 Schéma d'Application Typique

       +Vcc (12V)
        |
        |  +-----+
        |  |     |
        +--| R1  |--+-----> Sortie (OUT)
        |  | 1kΩ |  |
        |  +-----+  |
        |           |
        |/          |
    IN >--|         +-------< Charge (Charge)
        |>         |
        |          |
        +----------+
        |
        GND
            

Exemple : interrupteur haute puissance commandé par signal logique (R1 limite le courant).

📏 Dimensions du Boîtier (TO-220 / TO-220AB)

SymboleMin (mm)Max (mm)Min (pouces)Max (pouces)
A8.899.650.3500.380
B9.7810.920.3850.430
C14.2215.870.5600.625
D3.564.830.1400.190
E0.360.560.0140.022
F2.292.790.0900.110
G2.292.790.0900.110
H9.1410.160.3600.400

Le boîtier TO-220 est compatible avec les montages sur circuit imprimé et peut être monté sur dissipateur thermique pour améliorer la dissipation thermique.

📌 Notes Techniques

  • Dissipation thermique : Pour une température ambiante supérieure à 25°C, la puissance maximale doit être réduite de 0.75 W par °C.
  • Montage : Les soudures doivent être effectuées à une distance minimale de 3 mm du corps du boîtier, avec une température de fer à souder ne dépassant pas 260°C pendant 10 secondes.
  • Compatibilité : Le IRFZ44N est électriquement équivalent au IRFZ44 standard. Vérifiez toujours le brochage (broche 1 = grille).

🛒 Où Acheter IRFZ44N :

  • Au Maroc : abrid.ma (Consultez le catalogue en ligne pour la disponibilité et les quantités).
  • À l'International : Mouser Electronics - Livraison mondiale et stock en direct.

⚠️ Note d'information et clause de non-responsabilité : Les informations fournies dans cette fiche technique sont basées sur les données publiées par le fabricant d'origine (International Rectifier / Infineon). Bien que nous nous efforcions d'en garantir l'exactitude, ce document est fourni à titre indicatif uniquement. Nous déclinons toute responsabilité quant à son utilisation dans des applications critiques ou sensibles. Le concepteur final doit valider tous les paramètres dans son application spécifique. Pour les dernières révisions et spécifications officielles, veuillez vous référer à la documentation originale du fabricant.

Enregistrer un commentaire

Plus récente Plus ancienne