BD333 Datasheet | Fiche Technique Transistor Darlington NPN

BD333 | Transistor Darlington NPN de Puissance

BD333 | Transistor Darlington NPN de Puissance

Transistor bipolaire à triple jonction en configuration Darlington pour applications de puissance.

📄 Description Générale

Le BD333 est un transistor Darlington NPN de puissance, encapsulé dans un boîtier SOT-82 robuste. Sa configuration Darlington intégrée lui confère un gain en courant continu (hFE) très élevé, pouvant atteindre 3000, avec une valeur minimale garantie de 750. Il est conçu pour les applications d'amplification et de commutation nécessitant des courants de collecteur allant jusqu'à 6 A sous une tension collecteur-émetteur maximale de 80 V. Le composant inclut également des résistances et une diode de protection intégrées, ce qui le rend particulièrement adapté au pilotage de charges inductives. Son transistor complémentaire PNP est le BD334, permettant une utilisation facile dans les étages de sortie push-pull.

✨ Principales Caractéristiques

✔ Tension collecteur-émetteur : VCEO = 80V
✔ Courant de collecteur continu : IC = 6 A
✔ Courant de collecteur de pointe : ICM = 10 A
✔ Puissance dissipée maximale : PD = 60 W (avec dissipateur)
✔ Gain en courant continu minimum : hFE = 750 à 3A
✔ Tension de saturation collecteur-émetteur : VCE(sat) ≤ 2,0 V
✔ Fréquence de transition : fT = 7 MHz
✔ Protection intégrée : Résistances base-émetteur et diode de roue libre
✔ Température de jonction : TJ = 150 °C
✔ Transistor complémentaire PNP : BD334

🎯 Applications Typiques

  • Étages de sortie audio de puissance (push-pull)
  • Alimentations à découpage (SMPS)
  • Pilotage de moteurs DC, de relais et de solénoïdes
  • Régulateurs de tension linéaires à fort courant
  • Circuits de charge de batterie

🔌 Brochage / Pinout (SOT-82)

Brochage BD333
Brochage BD333

BrocheNomDescription
1Base (B)Entrée de commande du transistor.
2Collecteur (C)Sortie de puissance, reliée à la face arrière métallique pour le refroidissement.
3Émetteur (E)Référence commune (masse).

Le boîtier SOT-82 est similaire au TO-126, et sa face arrière métallique est électriquement reliée au collecteur. Cela doit être pris en compte lors du montage sur dissipateur.

⚠️ Valeurs Maximales (Maximum Ratings)

SymboleParamètreValeurUnité
VCEOTension collecteur-émetteur (base ouverte)80V
VCBOTension collecteur-base (émetteur ouvert)80V
VEBOTension émetteur-base (collecteur ouvert)5V
ICCourant de collecteur (continu)6A
ICMCourant de collecteur (pointe)10A
IBCourant de base0,5A
PDPuissance dissipée totale (TC = 25°C)60W
TJTempérature de jonction150°C
TstgTempérature de stockage-55 à +150°C

Pour des températures de boîtier supérieures à 25°C, la puissance maximale admissible doit être réduite linéairement (environ 0,5 W/°C).

⚡ Caractéristiques Électriques

Conditions : TA = 25°C, sauf indication contraire

ParamètreSymboleConditions de testMinTypMaxUnité
Caractéristiques de blocage
V(BR)CEOTension de claquage CEIC = 10 mA, IB = 080--V
ICEXCourant de fuite CEVCE = 80 V, VBE = 1,5 V--100µA
IEBOCourant de fuite émetteur-baseVE = 5 V, IC = 0--1mA
Caractéristiques de conduction
hFEGain en courant statiqueIC = 3 A, VCE = 3 V75020003000-
VCE(sat)Tension de saturation CEIC = 6 A, IB = 15 mA-1,52,0V
VBE(on)Tension base-émetteurIC = 6 A, VCE = 3 V--2,8V
Caractéristiques dynamiques
fTFréquence de transitionVCE = 3 V, IC = 0,5 A, f = 10 MHz710-MHz
CobCapacité de sortieVCB = 10 V, IE = 0-80-pF

🔬 Description Fonctionnelle

Le BD333 est un transistor à double jonction en configuration Darlington, où deux transistors NPN sont connectés en cascade. Le premier transistor amplifie le courant de base, tandis que le second fournit le gain de puissance principal. Cette configuration interne réduit drastiquement le courant nécessaire pour saturer le transistor, tout en maintenant une faible tension de saturation (VCE(sat)) à des courants de collecteur élevés. Le composant intègre également une résistance base-émetteur pour améliorer la stabilité thermique et une diode de roue libre (diode de protection) entre le collecteur et l'émetteur. Cette diode protège le transistor des pics de tension inverse générés par des charges inductives comme des moteurs ou des relais, une caractéristique essentielle pour les applications de commutation de puissance.

🔧 Schémas d'Application Typique

Figure 1 : Commutation d'une charge inductive (moteur ou relais).
La diode intégrée au BD333 protège le transistor des surtensions

Figure 2 : Étage de sortie audio en configuration push-pull,
utilisant le BD333 (NPN) et son complémentaire BD334 (PNP).

📏 Dimensions du Boîtier (SOT-82)

SymboleMin (mm)Max (mm)Min (pouces)Max (pouces)
A10,8011,200,4250,441
B7,808,200,3070,323
C2,402,700,0940,106
D0,450,550,0180,022
E2,202,300,0870,091
F0,500,600,0200,024

Le boîtier SOT-82 (également connu sous la désignation TO-126) est adapté au montage traversant. Sa face arrière métallique, reliée électriquement au collecteur, permet un excellent transfert thermique vers un dissipateur externe.

📌 Notes Techniques Importantes

  • Dissipation thermique : Pour des courants proches de 6 A, il est impératif d'utiliser un dissipateur thermique adapté afin de maintenir la température de jonction (TJ) en dessous de 150°C. La résistance thermique jonction-boîtier (Rthjc) est typiquement de 2,1 °C/W.
  • Commutation : Utilisez un courant de base (IB) suffisant (IB > IC / hFE) pour saturer correctement le transistor en commutation. Pour un IC de 6 A, un courant de base d'au moins 12 mA est recommandé.
  • Duplication : Ce composant est souvent référencé sous la désignation BD333 (Philips/NXP). Assurez-vous de la compatibilité brochage avec d'éventuels équivalents.
  • Circuit imprimé : Prévoyez des pistes de cuivre suffisamment larges pour le collecteur et l'émetteur afin de supporter le courant de 6 A et de limiter l'échauffement local du PCB.

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⚠️ Note d'information : Les informations fournies dans cette fiche technique sont basées sur les documents publiés par Philips Semiconductors (NXP). Bien qu'elles soient considérées comme exactes, ce document est fourni à titre indicatif. La responsabilité de l'utilisation de ces informations dans des applications spécifiques incombe à l'utilisateur. Pour une conception critique, référez-vous toujours à la documentation originale du fabricant.

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